人们发现,二氧化硅可以掩蔽某些杂质在硅中的扩散,利用这种特性和光刻技术制造了硅器件的平面工艺。在生产中,由于重复氧化,所以如何在硅晶体表面生长优质二氧化硅的技术,便成为硅平面工艺的基础。
为了保证二氧化硅产品层的质量,可以用宏观和微观的方法进行测试。宏观方法是用平行灯观察氧化层的表面质量,用化学腐蚀观察微观表面,然后用显微镜观察。下面二氧化硅厂家为大家介绍了在这一过程中常用的方法和出现的问题。
测量氧化层厚度通常采用两种方法,即比色法和干涉法。
比色法:在生产过程中,发现不同厚度的氧化层呈现不同的颜色,随着厚度的增加,颜色由灰色逐渐变为红色,当厚度不断增加时,氧化层的颜色由紫色向红色周期性地变化,因此人们编制了一张颜色与厚度的关系表,用于粗略估计氧化层厚度,在氧化条件确定、工艺稳定的情况下,采用这种方法简单方便"。
另一种测氧化层厚度的方法是双光干涉法,它利用氧化层台阶上的干涉条纹数来计算氧化层厚度。这种方法的优点是设备简单,测量准确。
测量氧化层厚度首先要制备氧化层的台阶,在样片的二氧化硅层上用黑胶或真空油脂保护一定区域,然后将其放入氢氟酸中腐蚀无保护的二氧化硅层。氢氟酸稀释效果较好,氧化层步骤较宽,其他时间不宜过长。腐蚀后,用甲苯或丙酮擦拭黑色胶水,在未腐蚀的二氧化硅层边缘出现台阶。台阶越宽,显示出的干涉条纹,就越清楚,侧量也准确。