二氧化硅的检验方法分享

2020-04-28 10:14:48

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我们发现二氧化硅对某些杂质向硅中扩散能起掩蔽作用，利用这一特性和光刻技术造就了硅元器件平面工艺。在生产制造中，由于要重复地开展氧化，因此怎样在硅晶体表层生长发育高品质二氧化硅的技术，便变成硅平面工艺的基础。

二氧化硅生产设备厂家

为了确保二氧化硅层的质量，能够采用宏观经济和外部经济的方式开展检测。宏观法是用平行面日光灯观查氧化层表层的品质，外部经济可采用化学腐蚀，随后根据光学显微镜开展观察。下面二氧化硅生产设备厂家介绍一下工艺中常用的方法及出现的问题。

准确测量氧化层厚度一般采用二种方式，即比色法和干预法。

比色法：生产制造中发觉，不一样厚度的氧化层，展现出不一样的颜色，伴随着厚度的增加，颜色从深灰色逐渐变到鲜红色，当厚度再次提升时，氧化层颜色从蓝紫色到鲜红色规律性转变，因而大家制取了颜色与厚度中间关联的表，用于粗略估计氧化层厚度。在氧化标准已定，加工工艺平稳的状况下，采用这类方式是简易、便捷的。

二氧化硅厂家介绍另一种测氧化层厚度的方式是双光干预法，它是利用氧化层台阶上干涉条纹数目来求氧化层的厚度，其优点是设备简单，并且测量准确。

测量氧化层厚度首先要制备氧化层的台阶，在样片的二氧化硅层上用黑胶或真空油脂保护一定区域，然后放入氢氟酸中，将未维护的二氧化硅层浸蚀掉，浸蚀时采用稀释液的盐酸实际效果不错，氧化层的台阶较宽，此外時间不适合太长。浸蚀好之后，用二甲苯或甲苯将黑胶擦下去，在沒有浸蚀二氧化硅层的边沿处展现一台阶，台阶越宽，显示信息出的干涉条纹，就越清晰，测量也准确。

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